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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F010 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 405K |
| 代理商： | 28F010 |
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28F010
DC CHARACTERISTICSDCMOS COMPATIBLEDCommercial Products
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Test Conditions
Min
Typical
(4)
Max
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
15
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
e
V
PPH
, Program
Verify in Progress
I
CC5
V
CC
Erase Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
e
V
PPH
, Erase
Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
g
10
m
A
V
PP
s
V
CC
I
PP1
V
PP
Read Current, ID
Current or Standby Current
1
90
200
m
A
V
PP
l
V
CC
g
10
V
PP
s
V
CC
I
PP2
V
PP
Programming
Current
1, 2
8.0
30
mA
V
PP
e
V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
6.0
30
mA
V
PP
e
V
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
e
V
PPH
, Program
Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
e
V
PPH
, Erase
Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
b
0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
a
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
e
V
CC
Min
I
OL
e
5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
0.85 V
CC
V
V
CC
e
V
CC
Min, I
OH
e b
2.5 mA
V
OH2
V
CC
b
0.4
V
CC
e
V
CC
Min, I
OH
e b
100
m
A
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
9
Intelligent Identifier
Current
1, 2
90
200
m
A
A
9
e
V
ID
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
e
V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
16
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