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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F010 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 405K |
| 代理商： | 28F010 |
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28F010
ORDERING INFORMATION
290207–20
VALID COMBINATIONS:
P28F010-65
P28F010-90
P28F010-120
P28F010-150
N28F010-65
N28F010-90
N28F010-120
N28F010-150
TN28F010-90
E28F010-65
E28F010-90
E28F010-120
E28F010-150
F28F010-65
F28F010-90
F28F010-120
F28F010-150
TE28F010-90
TF28F010-90
ADDITIONAL INFORMATION
Order
Number
294005
ER-20,
‘‘ETOX Flash Memory Technology’’
ER-24,
‘‘Intel Flash Memory’’
294008
ER-28,
‘‘ETOX III Flash Memory Technology’’
294012
RR-60,
‘‘ETOX Flash Memory Reliability Data Summary’’
293002
AP-316,
‘‘Using Flash Memory for In-System Reprogrammable Nonvolatile Storage’’
292046
AP-325
‘‘Guide to Flash Memory Reprogramming’’
292059
REVISION HISTORY
Number
Description
007
Removed
200 ns
Speed Bin
Revised Erase Maximum Pulse Count for Figure 5 from
3000
to
1000
Clarified AC and DC Test Conditions
Added ‘‘dimple’’ to F TSOP Package
Corrected Serpentine Layout
008
Corrected AC Waveforms
Added Extended Temperature Options
009
Added 28F010-65 and 28F010-90 speeds
Revised Symbols, i.e., CE, OE, etc. to CE
Y
, OE
Y
, etc.
010
Completion of Read Operation Table
Labelling of Program Time in Erase/Program Table
Textual Changes or Edits
Corrected Erase/Program Times
30
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參數(shù)描述 |
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