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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F010 |
| 廠(chǎng)商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/30頁(yè) |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 28F010 |
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28F010
DC CHARACTERISTICSDCMOS COMPATIBLEDExtended Temperature
Products
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Test Conditions
Min
Typical
(4)
Max
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
e
V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
CAPACITANCE
T
A
e
25
§
C, f
e
1.0 MHz
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Conditions
Min
Max
C
IN
Address/Control Capacitance
3
8
pF
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
C
OUT
Output Capacitance
3
12
pF
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
e
5.0V, V
PP
e
12.0V, T
e
25
§
C. These currents
are valid for all product versions (packages and speeds).
2. Not 100% tested: characterization data available.
3. Sampled, not 100% tested.
4. ‘‘Typicals’’ are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
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