參數(shù)資料
型號： CY7C1347D-250BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 2.4 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
文件頁數(shù)： 8/21頁
文件大?。?/td> 2790K
代理商： CY7C1347D-250BGC
CY7C1347D
Document #: 38-05022 Rev. *E
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Typical Output Buffer Characteristics
Output High Voltage
Pull-Up Current
Output Low Voltage
Pull-Down Current
VOH (V)
IOH (mA) Min. IOH (mA) Max.
VOL (V)
IOL (mA) Min. IOL(mA) Max.
–0.5
–38
–105
–0.5
0
–38
–105
0
0.8
–38
–105
0.4
10
20
1.25
–26
–83
0.8
20
40
1.5
–20
–70
1.25
31
63
2.3
0
–30
1.6
40
80
2.7
0
–10
2.8
40
80
2.9
0
3.2
40
80
3.4
0
3.4
40
80
Switching Waveforms
Read Timing[26, 27]
Notes:
26. CE active in this timing diagram means that all chip enables CE, CE2, and CE2 are active.
27. For X18 product, there are only BWa and BWb for byte write control.
CLK
ADSP#
ADSC#
ADDRESS
BWa#, BWb#,
BWc#, BWd#,
BWE#, GW#
CE#
ADV#
OE#
DQ
A1
A2
Q(A1)
Q(A2)
Q(A2+1)
Q(A2+2)
Q(A2+3)
Q(A2)
Q(A2+1)
t
KQ
t
KQLZ
t
OELZ
t
KQ
t
S
t
H
t
KH
t
KL
t
KC
t
OEQ
SINGLE READ
BURST READ
t
H
t
H
t
S
t
S
t
S
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PDF描述
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