參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 15/30頁(yè)
文件大小： 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
Page 22 of 30
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz, VDD = 1.8V, VDDQ = 1.5V
5
pF
CCLK
Clock Input Capacitance
4
pF
CO
Output Capacitance
6pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance, in
accordance with EIA/JESD51.
17.2
°C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
3.2
°C/W
Figure 4. AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
Ω
5pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
RL = 50Ω
Z0 = 50Ω
VREF = 0.75V
0.75V
Under
Test
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
VREF
OUTPUT
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
Ω
(b)
RQ =
250
Ω
Note
22. Unless otherwise noted, test conditions are based on signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
Ω, V
DDQ = 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified IOL/IOH and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads and Waveforms.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C145-35JCR 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68
CY7C1472BV25-250BZXI 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
CY7C164-15PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1413JV18-200BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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