參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 21/30頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
Page 28 of 30
167
CY7C1411BV18-167BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1426BV18-167BZC
CY7C1413BV18-167BZC
CY7C1415BV18-167BZC
CY7C1411BV18-167BZXC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-167BZXC
CY7C1413BV18-167BZXC
CY7C1415BV18-167BZXC
CY7C1411BV18-167BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1426BV18-167BZI
CY7C1413BV18-167BZI
CY7C1415BV18-167BZI
CY7C1411BV18-167BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-167BZXI
CY7C1413BV18-167BZXI
CY7C1415BV18-167BZXI
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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