參數(shù)資料
型號： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 26/30頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
Page 5 of 30
CY7C1413BV18 (2M x 18)
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A
CQ
NC/144M
A
WPS
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NC/288M
RPS
A
NC/72M
CQ
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ANC
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Q13
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VDD
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DOFF
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VDDQ
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VSS
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J
NC
D14
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NC
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VDD
VSS
VDD
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Q3
L
NC
Q15
D15
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VSS
VDDQ
NC
Q2
M
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VSS
NC
Q1
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N
NC
D17
Q16
VSS
AAA
VSS
NC
D1
P
NC
Q17
A
C
A
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
A
C
AAA
TMS
TDI
CY7C1415BV18 (1M x 36)
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A
CQ
NC/288M NC/72M
WPS
BWS2
K
BWS1
RPS
A
NC/144M
CQ
B
Q27
Q18
D18
A
BWS3
KBWS0
AD17
Q17
Q8
C
D27
Q28
D19
VSS
ANC
A
VSS
D16
Q7
D8
D
D28
D20
Q19
VSS
Q16
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Q29
D29
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VSS
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DOFF
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D32
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VSS
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Q35
D35
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A
C
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Q9
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Q0
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TDO
TCK
A
C
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TMS
TDI
Pin Configuration (continued)
The pin configuration for CY7C1411BV18, CY7C1426BV18, CY7C1413BV18, and CY7C1415BV18 follow. [1]
165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C145-35JCR 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68
CY7C1472BV25-250BZXI 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
CY7C164-15PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1413JV18-200BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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