參數(shù)資料
型號： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 20/30頁
文件大小： 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
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250
CY7C1411BV18-250BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1426BV18-250BZC
CY7C1413BV18-250BZC
CY7C1415BV18-250BZC
CY7C1411BV18-250BZXC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-250BZXC
CY7C1413BV18-250BZXC
CY7C1415BV18-250BZXC
CY7C1411BV18-250BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1426BV18-250BZI
CY7C1413BV18-250BZI
CY7C1415BV18-250BZI
CY7C1411BV18-250BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-250BZXI
CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1415BV18-250BZXI
200
CY7C1411BV18-200BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1426BV18-200BZC
CY7C1413BV18-200BZC
CY7C1415BV18-200BZC
CY7C1411BV18-200BZXC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-200BZXC
CY7C1413BV18-200BZXC
CY7C1415BV18-200BZXC
CY7C1411BV18-200BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1426BV18-200BZI
CY7C1413BV18-200BZI
CY7C1415BV18-200BZI
CY7C1411BV18-200BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1426BV18-200BZXI
CY7C1413BV18-200BZXI
CY7C1415BV18-200BZXI
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PDF描述
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CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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