參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 9/30頁(yè)
文件大?。?/td> 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
Page 17 of 30
Identification Register Definitions
Instruction Field
Value
Description
CY7C1411BV18
CY7C1426BV18
CY7C1413BV18
CY7C1415BV18
Revision Number
(31:29)
000
Version number.
Cypress Device ID
(28:12)
11010011011000111
11010011011001111
11010011011010111
11010011011100111 Defines the type of
SRAM.
Cypress JEDEC ID
(11:1)
00000110100
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
ID Register
Presence (0)
1111
Indicates the
presence of an ID
register.
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size
Instruction
3
Bypass
1
ID
32
Boundary Scan
109
Instruction Codes
Instruction
Code
Description
EXTEST
000
Captures the input and output ring contents.
IDCODE
001
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and TDO.
This operation does not affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
Captures the input and output contents. Places the boundary scan register between TDI and
TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
RESERVED
011
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
SAMPLE/PRELOAD
100
Captures the input and output ring contents. Places the boundary scan register between TDI
and TDO. Does not affect the SRAM operation.
RESERVED
101
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
RESERVED
110
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
BYPASS
111
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
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參數(shù)描述
CY7C1413JV18-200BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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