參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1413BV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, M0-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 7/30頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： CY7C1413BV18-250BZXI
CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
Document Number: 001-07037 Rev. *D
Page 15 of 30
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range [12, 13, 14]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = 2.0 mA
1.4
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = 100 μA1.6
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 μA0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
0.65VDD VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.35VDD
V
IX
Input and Output Load Current
GND
≤ V
I ≤ VDD
–5
5
μA
0
1
2
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
108
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
12. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
13. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.85V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 1.5V (Pulse width less than tCYC/2).
14. All Voltage referenced to Ground.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
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參數(shù)描述
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CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1413JV18-250BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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