參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1515AV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 10/31頁(yè)
文件大?。?/td> 774K
代理商： CY7C1515AV18-250BZXI
CY7C1511AV18, CY7C1526AV18
CY7C1513AV18, CY7C1515AV18
Document Number: 001-06985 Rev. *D
Page 18 of 31
Identification Register Definitions
Instruction Field
Value
Description
CY7C1511AV18
CY7C1526AV18
CY7C1513AV18
CY7C1515AV18
Revision Number
(31:29)
000
Version number.
Cypress Device ID
(28:12)
11010011011000100 11010011011001100 11010011011010100 11010011011100100 Defines the type of
SRAM.
Cypress JEDEC ID
(11:1)
00000110100
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
ID Register
Presence (0)
1111
Indicates the
presence of an ID
register.
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size
Instruction
3
Bypass
1
ID
32
Boundary Scan
109
Instruction Codes
Instruction
Code
Description
EXTEST
000
Captures the input and output ring contents.
IDCODE
001
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and TDO.
This operation does not affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
Captures the input and output contents. Places the boundary scan register between TDI and
TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
RESERVED
011
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
SAMPLE/PRELOAD
100
Captures the input and output ring contents. Places the boundary scan register between TDI
and TDO. Does not affect the SRAM operation.
RESERVED
101
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
RESERVED
110
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
BYPASS
111
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1522JV18-250BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1524KV18-333BZI 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1612KV18-333BZXC 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
CY7C2561KV18-450BZC 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1515JV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Four-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-300BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Four-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-333BZXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165-FPBGA - Trays
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