參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1515AV18-250BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 18/31頁(yè)
文件大小： 774K
代理商： CY7C1515AV18-250BZXI
CY7C1511AV18, CY7C1526AV18
CY7C1513AV18, CY7C1515AV18
Document Number: 001-06985 Rev. *D
Page 25 of 31
Output Times
tCO
tCHQV
C/C Clock Rise (or K/K in single
clock mode) to Data Valid
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
tDOH
tCHQX
Data Output Hold after Output C/C
Clock Rise (Active to Active)
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
tCCQO
tCHCQV
C/C Clock Rise to Echo Clock Valid
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
tCQOH
tCHCQX
Echo Clock Hold after C/C Clock
Rise
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
tCQD
tCQHQV
Echo Clock High to Data Valid
0.27
0.30
0.35
0.40
ns
tCQDOH
tCQHQX
Echo Clock High to Data Invalid
–0.27
–
–0.27
–
–0.30
–
–0.35
–
–0.40
–
ns
tCQH
tCQHCQL
Output Clock (CQ/CQ) HIGH [26]
1.24
–1.35–
1.55–1.95
–
2.45
–
ns
tCQHCQH
CQ Clock Rise to CQ Clock Rise
(rising edge to rising edge)
1.24
–1.35–
1.55–1.95
–
2.45
–
ns
tCHZ
tCHQZ
Clock (C/C) Rise to High-Z
(Active to High-Z) [27, 28]
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
tCLZ
tCHQX1
Clock (C/C) Rise to Low-Z [27, 28]
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
DLL Timing
tKC Var
Clock Phase Jitter
–
0.20
–
0.20
–
0.20
–
0.20
–
0.20
ns
tKC lock
DLL Lock Time (K, C)
1024
–
1024
–
1024
–
1024
–
1024
–
Cycles
tKC Reset
K Static to DLL Reset
30
ns
Switching Characteristics (continued)
Over the Operating Range [22, 23]
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
300 MHz
278 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Notes
26. These parameters are extrapolated from the input timing parameters (tKHKH - 250 ps, where 250 ps is the internal jitter. An input jitter of 200 ps (tKC Var) is already
included in the tKHKH). These parameters are only guaranteed by design and are not tested in production
27. tCHZ, tCLZ, are specified with a load capacitance of 5 pF as in (b) of AC Test Loads and Waveforms. Transition is measured ± 100 mV from steady-state voltage.
28. At any voltage and temperature tCHZ is less than tCLZ and tCHZ less than tCO.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1522JV18-250BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1524KV18-333BZI 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1612KV18-333BZXC 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
CY7C2561KV18-450BZC 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1515JV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Four-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1515JV18-300BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1515JV18-333BZXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165-FPBGA - Trays
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