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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1515AV18-250BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/31頁 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | CY7C1515AV18-250BZXI |
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CY7C1511AV18, CY7C1526AV18
CY7C1513AV18, CY7C1515AV18
Document Number: 001-06985 Rev. *D
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Power Up Sequence in QDR-II SRAM
QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a
predefined manner to prevent undefined operations.
Power Up Sequence
■ Apply power and drive DOFF either HIGH or LOW (All other
inputs can be HIGH or LOW).
Apply VDD before VDDQ.
Apply VDDQ before VREF or at the same time as VREF.
Drive DOFF HIGH.
■ Provide stable DOFF (HIGH), power and clock (K, K) for 1024
cycles to lock the DLL.
DLL Constraints
■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must
have low phase jitter, which is specified as tKC Var.
■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz.
■ If the input clock is unstable and the DLL is enabled, then the
DLL may lock onto an incorrect frequency, causing unstable
SRAM behavior. To avoid this, provide1024 cycles stable clock
to relock to the desired clock frequency.
Figure 3. Power Up Waveforms
> 1024 Stable clock
Start Normal
Operation
DOFF
Stable (< +/- 0.1V DC per 50ns )
Fix High (or tie to VDDQ)
K
DDQ
DD
V
/
DDQ
DD
V
/
Clock Start (Clock Starts after
Stable)
DDQ
DD
V
/
~ ~
~~
Unstable Clock
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1522JV18-250BZI | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| CY7C1524KV18-333BZI | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| CY7C1612KV18-333BZXC | 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165 |
| CY7C256-45PC | 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28 |
| CY7C2561KV18-450BZC | 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1515JV18-167BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1515JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 Four-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1515JV18-300BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx36 1.8V QDR Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1515JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 Four-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1515JV18-333BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165-FPBGA - Trays |
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