- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384279 > EDD51321CBH (Elpida Memory, Inc.) 512M bits DDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | EDD51321CBH |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特DDR內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDD51321CBH |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當(dāng)前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁
EDD51321CBH
Preliminary Data Sheet E1094E30 (Ver. 3.0)
26
Burst Stop
Burst stop command during
burst operation
The burst stop (BST) command stops the burst read and sets all output buffers to high-Z. tBSTZ (= CL) cycles after
a BST command issued, all DQ and DQS pins become high-Z.
The BST command is also supported for the burst write operation. No data will be written in subsequent cycles.
Note that bank address is not referred when this command is executed.
CK
/CK
DQS
DQ
Command
t0
t0.5
t1
t1.5
t2
t2.5
t3
t3.5
t4
t4.5
t5
t5.5
out0
out1
CL: /CAS latency
READ
BST
NOP
tBSTZ
Burst Stop during a Read Operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDD51321CBH-6CTT-E | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321CBH-7ETT-E | 512M bits DDR SDRAM |
| EDE1116ABSE-6E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ABSE-4A-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDD51321CBH-6CTT-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321CBH-7ETT-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321DBH-5BTS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDD51321DBH-6ETS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDD51321DBH-TS | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。