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參數(shù)資料
| 型號： | EDD51321CBH |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特DDR內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 9/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDD51321CBH |
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EDD51321CBH
Preliminary Data Sheet E1094E30 (Ver. 3.0)
9
Timing Parameter Measured in Clock Cycle
Number of clock cycle
tCK
6.0ns
7.5ns
Parameter
Symbol
min.
max.
min.
max.
Unit
Write to pre-charge command delay
(same bank)
Read to pre-charge command delay
(same bank)
Write to read command delay
(to input all data)
Burst stop command to write command
delay
(CL = 3)
Burst stop command to DQ high-Z
(CL = 3)
Read command to write command delay
(to output all data)
(CL = 3)
Pre-charge command to high-Z
(CL = 3)
tWPD
4 + BL/2
3 + BL/2
tCK
tRPD
BL/2
BL/2
tCK
tWRD
3 + BL/2
2 + BL/2
tCK
tBSTW
3
3
tCK
tBSTZ
3
3
tCK
tRWD
3 + BL/2
3 + BL/2
tCK
tHZP
3
3
tCK
Write command to data in latency
tWCD
1
1
tCK
Write recovery
tWR
3
2
tCK
DM to data in latency
tDMD
0
0
tCK
Mode register set command cycle time
tMRD
2
2
tCK
Self-refresh exit to non-column command tSREX
20
16
tCK
Auto-refresh period
tRFC
18
15
tCK
Power-down entry
tPDEN
2
1
tCK
Power-down exit to command input
tPDEX
1
1
tCK
CKE minimum pulse width
tCKE
2
2
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDD51321CBH-6CTT-E | 512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321CBH-7ETT-E | 512M bits DDR SDRAM |
| EDE1116ABSE-6E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1104ABSE-4A-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDD51321CBH-6CTT-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321CBH-7ETT-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR SDRAM |
| EDD51321DBH-5BTS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDD51321DBH-6ETS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDD51321DBH-TS | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
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