參數(shù)資料
型號(hào)： HY5PS12423LF
英文描述： 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
中文描述： 128Mx4 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II內(nèi)存- 512M
文件頁(yè)數(shù)： 44/66頁(yè)
文件大?。?/td> 862K
代理商： HY5PS12423LF
Rev. 0.52/Nov. 02 44
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
Write to Read Opeation
Minimum time interval from burst write to burst read is “CL-1+BL/2+tWTR” (Internal Write to Read command delay)
/CK
CK
Q0
Q1 Q2 Q3
Read
Bank A
Posted CAS AL=2
Read latency = 5clks
CMD
DQS
DQ
Write
Bank A
Posted CAS AL=2
Write latency= 4clks
D0 D1 D2 D3
CL=3clks, AL=2clks
BL=4, tWTR=2clks
Min. Write to Read Turn Around = CL-1+BL/2+tWTR
CL=3CLKs, AL=2CLK, BL=4, tWTR=2CLKs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5PS12823F 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
HY5PS12823LF 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
HY5P Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1
HY5R256HC -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M
HY5R288HC -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HY5PS12821AF-C3 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12821AF-C4 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12821AF-E3 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12821AFP 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mb DDR2 SDRAM
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