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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S256160CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 15/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 327K |
| 代理商： | HYB 39S256160CT |
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INFINEON Technologies
15
1.00
HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
Operating Currents
(T
A
= 0 to 70
o
C, Vdd = 3.3V
±
0.3V
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
Notes:
3. These parameters depend on the cycle rate. All values are measured at 133 MHz operation frequency for
-7.5 devices and at 100 MHz for -8/-8A devices.
Input signals are changed once during tck, excepts for ICC6 and for standby currents when tck=infinity.
4. These parameters are measured with continuous data stream during read access and all DQ toggling. CL=3
and BL=4 is assumed and the VDDQ current is excluded.
Parameter & Test Condition
Symb.
-7.5
-8/-8A
Note
max.
max.
OPERATING CURRENT
trc=trcmin., tck=tckmin.
Ouputs open, Burst Length = 4, CL=3
All banks operated in random access,
all banks operated in ping-pong manner
to maximize gapless data access
ICC1
230
170
mA
3
PRECHARGE STANDBY CURRENT in
Power Down Mode
CS =VIH (min.), CKE<=Vil(max)
tck = min.
ICC2P
2
2
mA
3
PRECHARGE STANDBY CURRENT in
Non-Power Down Mode
CS = VIH (min.), CKE>=Vih(min)
tck = min.
ICC2N
40
30
mA
3
NO OPERATING CURRENT
tck = min., CS = VIH(min),
active state ( max. 4 banks)
CKE>=VIH(min.)
ICC3N
50
45
mA
3
CKE<=VIL(max.)
ICC3P
10
10
mA
3
BURST OPERATING CURRENT
tck = min.,
Read command cycling
ICC4
150
100
mA
3,4
AUTO REFRESH CURRENT
tck = min.,
Auto Refresh command cycling
ICC5
240
220
mA
3
SELF REFRESH CURRENT
Self Refresh Mode, CKE=0.2V
standard version
ICC6
3
3
mA
3
L-version
1.5
1.5
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB 39S64400BT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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