參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 39S256160CT
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 30/41頁(yè)
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代理商： HYB 39S256160CT
HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
10. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S64160AT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4M x 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）)
HYB 39S64160BT 4M x 16 MBit Synchronous DRAM for High Speed Graphics Applications(64M位(4列 × 1M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM（用于高速圖形場(chǎng)合）)
HYB 39S64400BT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S64800BT 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S64XXX0BTL 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動(dòng)態(tài)RAM(低功耗版))
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參數(shù)描述
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