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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S256160CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 36/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 327K |
| 代理商： | HYB 39S256160CT |
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HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
36
14.2. CAS Latency = 3
Command
Bank B
Write
CBz
DBw0
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Z
Hi
RBz
RBz
Command
Bank B
DBw3
DBw1 DBw2
Write
Command
Bank B
DBx0
DBx1
CBx
Write
DBy1
DBy0
DBy2
Precharge
Command
Bank B
DBy3
CBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK3
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank B
DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
DBz1
RBz
RBz
CBz
SPT03924
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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