參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S256160CT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks ×的4Mb × 16)同步DRAM(256M(4列× 4分位× 16)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 17/41頁
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代理商: HYB 39S256160CT
INFINEON Technologies
17
1.00
HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
CAS(a) to CAS(b) Command
period
t
CCD
1
1
1
CLK
Refresh Cycle
Refresh Period (8192 cycles)
t
REF
t
SREX
64
64
64
ms
Self Refresh Exit Time
1
1
1
CLK
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
3
3
3
ns
2,
6
Data Out to Low Impedance Time
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
1
0
0
ns
Data Out to High Impedance Time
3
7
3
8
3
8
ns
DQM Data Out Disable Latency
2
2
2
CLK
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
2
2
CLK
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
0
0
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-7.5
PC133-
333
-8
PC100-
222
-8A
PC100-
322
min.
max.
min.
max.
min.
max.
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PDF描述
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