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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S256160CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks ×的4Mb × 16）同步DRAM（256M（4列× 4分位× 16）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/41頁(yè) |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | HYB 39S256160CT |
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HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
37
15. Random Row Read (Interleaving Banks) with Precharge
15.1 CAS Latency = 2
Ax2
t
BS
Addr.
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank B
Read
RBx
RBx
RCD
t
CBx
Read
Command
Activate
Command
Bank B
Bank A
Command
Bank A
Bx2
Bx0
AC2
Bx1
Activate
Bx3
Bx4
RAx
RAx
Command
Bank B
Precharge
Bx6
Bx5
Bx7
Ax0
Ax1
CAx
RP
t
RBy
RBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
t
CK2
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03925
Bank B
Command
Ax5
Ax3
Ax4
Read
Ax6
Ax7
CBy
By1
By0
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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