參數(shù)資料
型號(hào): HYB39S256800
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 256兆比特同步DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 17/46頁
文件大小: 594K
代理商: HYB39S256800
INFINEON Technologies
17
HYB39S256400/800/160T
256MBit Synchronous DRAM
Activate(a) to Activate(b) Command
period
t
RRD
16
16
20
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command period
t
CCD
1
1
1
CLK
Refresh Cycle
Refresh Period (8192 cycles)
t
REF
t
SREX
64
64
64
ms
Self Refresh Exit Time
10
10
10
ns
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
3
3
ns
2
Data Out to Low Impedance Time
0
0
0
ns
Data Out to High Impedance Time
3
8
3
8
3
10
ns
DQM Data Out Disable Latency
2
2
2
CLK
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
2
2
CLK
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
0
0
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-8
PC100-
222
-8A
PC100-
322
-8B
PC100-
323
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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