參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S256800
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256兆比特同步DRAM（256M位同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 2/46頁(yè)
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代理商： HYB39S256800
INFINEON Technologies
2
HYB39S256400/800/160T
256MBit Synchronous DRAM
Ordering Information
Type
Pin Description and Pinouts:
Speed Grade
Package
Description
LVTTL-version:
HYB 39S256400T-8
PC100-222-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 16M x 4 SDRAM
HYB 39S256400T-8A
PC100-322-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 16M x 4 SDRAM
HYB 39S256400T-8B
PC100-323-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
100MHz 4B x 16M x 4 SDRAM
HYB 39S256800T-8
PC100-222-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 8M x 8 SDRAM
HYB 39S256800T-8A
PC100-322-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 8M x 8 SDRAM
HYB 39S256800T-8B
PC100-323-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
100MHz 4B x 8M x 8 SDRAM
HYB 39S256160T-8
PC100-222-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 4M x 16 SDRAM
HYB 39S256160T-8A
PC100-322-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
125MHz 4B x 4M x 16 SDRAM
HYB 39S256160T-8B
PC100-323-620
P-TSOP-54-2 (400mil)
100MHz 4B x 4M x 16 SDRAM
CLK
Clock Input
DQ
Data Input /Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM, UDQM
Data Mask
CS
Chip Select
Vdd
Power (+3.3V)
RAS
Row Address Strobe
Vss
Ground
CAS
Column Address Strobe
Vddq
Power for DQ’s (+ 3.3V)
WE
Write Enable
Vssq
Ground for DQ’s
A0-A12
Address Inputs
NC
not connected
BA0, BA1
Bank Select
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB39S256400DC-6 256 MBit Synchronous DRAM
HYB39S256400DC-7 256 MBit Synchronous DRAM
HYB39S256400DC-75 Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber
HYB39S256400DC-8 256 MBit Synchronous DRAM
HYB39S256400DCL-7 256 MBit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB39S256800AT-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S256800AT-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S256800AT-8A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S256800AT-8B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S256800CT-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mb (32M x 8) PC133 3-3-3?
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