參數(shù)資料
型號: HYB39S256800
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動態(tài)RAM)
中文描述: 256兆比特同步DRAM(256M位同步動態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 44/46頁
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代理商: HYB39S256800
H
2
CLK
CKE
CS
DQ
RAS
CAS
WE
BS
DQM
18.1 Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
T2
T3
T4
T0
T1
T6
T7
T8
T9
T5
T11
T13
T14
T10
T16
T17
T18
T19
T15
T22
T20
T21
Hi-Z
AP
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
Addr
t
CK2
High
t
RCD
t
RP
Write
Bank A
CAy
CAX
DAx0
DAx3
DAx2
DAx1
DAx4
DAx7
DAx6
DAx5
DBx0
DBx3
DBx2
DBx1
DBx4
DBx7
DBx6
DBx5
DAy0
DAy3
DAy2
DAy1
t
WR
Command
Activate
Command
Bank A
RAx
RAx
Activate
Command
Bank B
RBx
RBx
CBx
Precharge
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
RAy
RAy
CAy
Precharge
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
DAy4
t
WR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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