- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370792 > HYB39S256800 (SIEMENS AG) 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S256800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆比特同步DRAM（256M位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 594K |
| 代理商： | HYB39S256800 |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
INFINEON Technologies
4
HYB39S256400/800/160T
256MBit Synchronous DRAM
Block Diagram for 64M x 4 SDRAM ( 13 / 11 / 2 addressing)
Row decoder
Memory array
Bank 0
8196 x 2048
x 4 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 1
8196 x 2048
x 4 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 2
8196 x 2048
x 4 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 3
8196 x 2048
x 4 bi
t
C
S
Input buffer
Output buffer
DQ0-DQ3
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A12, BA0, BA1
A0 - A9,A11 AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
C
C
C
R
C
W
D
Row Addresses
Column Addresses
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S256400DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DC-75 | Polypropylene metallized tape wrap and epoxy filled - Snubber |
| HYB39S256400DC-8 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256400DCL-7 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800AT-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S256800CT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?256Mb (32M x 8) PC133 3-3-3? |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。