參數(shù)資料
型號(hào)： KM416S1120D
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
中文描述： 為512k × 16位× 2銀行同步DRAM LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 26/43頁(yè)
文件大?。?/td> 1131K
代理商： KM416S1120D
KM416S1120D
CMOS SDRAM
- 26
Rev. 1.4 (Jun. 1999)
0
1
2
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8
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16
17
18
19
Single Bit Read-Write-Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
: Don't care
tRCD
*Note 1
tSS
tSH
tRP
tCCD
tSS
*Note 2
tSH
tRAC
tSAC
tSLZ
tOH
tSH
tSS
tSS
tSH
tSS
tSH
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
A
10
/AP
DQ
WE
DQM
Row Active
Read
Write
Read
Row Active
Precharge
tCH
tCC
tCL
tRAS
tRC
HIGH
tSH
tSH
tSS
tSS
*Note 2,3
BS
*Note 2,3 *Note 4
BS
*Note 4
*Note 3
*Note 3
*Note 3
Rb
Cc
Cb
Ca
Ra
BS
BS
BS
BS
Ra
Rb
Qc
Db
Qa
*Note 2,3
*Note 2
tSS
tSH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416S16230A 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S4030C 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F10 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F7 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F8 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KM416S1120DT-G/F6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S1120DT-G/F7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S1120DT-G/F8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S1120DT-G/FC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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