- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄373157 > KM48S8020B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | KM48S8020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 8位× 2銀行同步DRAM（4米× 8位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 28/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM48S8020B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
*Note :
1. All inputs expect CKE & DQM can be don
t care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S8030 | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48V2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數據輸出)) |
| KM48C2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數據輸出)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KM48S8030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030CT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48V2000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。