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參數(shù)資料
| 型號： | KM48S8020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 8位× 2銀行同步DRAM（4米× 8位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 43/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | KM48S8020B |
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
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Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
tRFC
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* Both banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S8030 | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48V2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM48C2004C | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM48S8030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030CT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48V2000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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