參數(shù)資料
型號： KM48S8020B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 8位× 2銀行同步DRAM（4米× 8位× 2組同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 41/43頁
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代理商： KM48S8020B
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
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Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
: Don't care
*Note :
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
*Note 1
Precharge
tSS
*Note 2
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
tSS
tSS
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Ra
ó
ó
Ca
ó
ó
Ra
ó
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Qa0
Qa1
Qa2
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ó
ó
Row Active
Precharge
Power-down
Exit
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
tSHZ
*Note 3
ó
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM48S8030D 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S8030 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48S8030C 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48V2004C 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
KM48C2004C 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(2M x 8位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
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參數(shù)描述
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