參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F040SUTD-Z4
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 4M (512K 】 8) Flash Memory
中文描述： 4分（為512k】8）閃存
文件頁(yè)數(shù)： 30/32頁(yè)
文件大小： 247K
代理商： LH28F040SUTD-Z4
LH28F040SUTD-Z4
4M (512K × 8) Flash Memory
30
Erase and Byte Write Performance
V
CC
= 3.25 V ± 0.35 V, T
A
= -20°C to +70°C
NOTES:
1. 25°C, V
PP
= 5.0 V
2. Excludes System-Level Overhead. It actually indicates the time from input write/erase command until bit7 of status register becomes
ready (WSMS = 0).
3. The MAX. value of byte write time is the maximum write time inside the chip. It is not the time until the whole writing procedure is com-
pleted properly. It is necessary to check CSR to see if the writing procedure is properly completed.
4. Depends on the number of protected blocks.
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
(1)
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRH3
t
WHRH4
Byte Write Time
20
250
μs
2, 3
Two-Byte Serial Write Time
34
μs
2
16KB Block Write Time
0.33
1.0
s
Byte Write Mode
2
16KB Block Write Time
0.28
1.0
s
Two-Byte Serial Write Mode
2
Block Erase Time (16KB)
0.8
10
s
2
2M Bit Bank Erase Time
9 - 15
s
2, 4
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PDF描述
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