參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F040SUTD-Z4
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 4M (512K 】 8) Flash Memory
中文描述： 4分（為512k】8）閃存
文件頁(yè)數(shù)： 27/32頁(yè)
文件大?。?/td> 247K
代理商： LH28F040SUTD-Z4
4M (512K × 8) Flash Memory
LH28F040SUTD-Z4
27
Figure 17. Waveforms for Command Write Operations
ADDRESSES (A)
(NOTE 1)
V
IH
V
IL
A
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
OUT
BE
X
(E)
(NOTE 3)
V
IH
V
IL
OE (G)
V
IH
V
IL
WE (W)
V
IH
V
IL
DATA (D/Q)
V
IH
V
IL
t
AVAV
t
WHGL
t
WHWL
t
WLWH
t
DVWH
t
QVVL
t
AVWH
t
WHAX
t
ELWL
t
WHEH
t
WHQV 1, 2
t
GHWL
t
WHDX
t
VPWH
28F040SUZ4-17
(NOTE 2)
HIGH-Z
WRITE
DATA-WRITE
OR ERASE
SETUP COMMAND
WRITE VALID
ADDRESS AND DATA
(DATA-WRITE) OR
ERASE CONFIRM
COMMAND
AUTOMATED
DATA-WRITE
OR ERASE
DELAY
NOTES:
1. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via CSRD.
2. This cycle is invalid when using CSRD for verification during Data-Write/Erase operations.
3. BE
X
means either BE
0
or BE
1
V
PP
(V)
V
PPH
V
PPL
READ
COMPATIBLE
STATUS
REGISTER DATA
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PDF描述
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