參數資料
型號： LH28F040SUTD-Z4
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 4M (512K 】 8) Flash Memory
中文描述： 4分（為512k】8）閃存
文件頁數： 21/32頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： LH28F040SUTD-Z4
4M (512K × 8) Flash Memory
LH28F040SUTD-Z4
21
DC Characteristics
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= -20°C to +70°C
Following is the current consumption of one bank. For the current consumption of one device total, please refer to
Note 5.
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
I
IL
Input Load Current
±2
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
1
I
LO
Output Leakage
Current
±20
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
5
10
μA
V
CC
= V
CC
MAX.,
BE
0
, BE
1
= V
CC
±0.2 V
V
CC
= V
CC
MAX.,
BE
0
, BE
1
= V
IH
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: BE
0
, BE
1
= GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V,
TTL: BE
0
, BE
1
= V
IL,
Inputs = V
IL
or V
IH
,
f = 10 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: BE
0
, BE
1
= GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V,
TTL: BE
0
, BE
1
= V
IL,
Inputs = V
IL
or V
IH
,
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
Byte/Two-Byte Serial Write
in Progress
1, 4, 5
0.3
4
mA
I
CCR1
V
CC
Read Current
(10 MHz Operation)
35
mA
1, 3,
4, 5
I
CCR2
V
CC
Read Current
(5 MHz Operation)
10
20
mA
1, 3,
4, 5
I
CCW
V
CC
Write Current
8
12
mA
1, 5
I
CCE
V
CC
Block Erase
Current
6
12
mA
Block Erase in Progress
1, 5
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
3
6
mA
BE
0
, BE
1
= V
IH
Block Erase Suspended
1, 2, 5
I
PPS
V
PP
Standby Current
±1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
1, 5
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