參數(shù)資料
型號： LH28F040SUTD-Z4
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 4M (512K 】 8) Flash Memory
中文描述： 4分（為512k】8）閃存
文件頁數(shù)： 23/32頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： LH28F040SUTD-Z4
4M (512K × 8) Flash Memory
LH28F040SUTD-Z4
23
AC Characteristics - Read Only Operations
1
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= -20°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNITS
NOTE
t
AVAV
Read Cycle Time
150
ns
t
AVGL
Address Setup to OE
Going Low
0
ns
3
t
AVQV
Address to Output Delay
150
ns
t
ELQV
BE
0
, BE
1
to Output Delay
150
ns
2
t
GLQV
OE
to Output Delay
50
ns
2
t
ELQX
BE
0
, BE
1
to Output in Low Z
0
ns
3
t
EHQZ
BE
0
, BE
1
to Output in High Z
55
ns
3
t
GLQX
OE
to Output in Low Z
0
ns
3
t
GHQZ
OE
to Output in High Z
40
ns
3
t
OH
Output Hold from Address, BE
0
, BE
1
or
OE
change, whichever occurs first
0
ns
3
AC Characteristics - Read Only Operations
1
(Continuted)
V
CC
= 2.85 V ± 0.15 V, T
A
= -20°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNITS
NOTE
t
AVAV
Read Cycle Time
190
ns
t
AVGL
Address Setup to OE
Going Low
0
ns
3
t
AVQV
Address to Output Delay
190
ns
t
ELQV
BE
0
, BE
1
to Output Delay
190
ns
2
t
GLQV
OE
to Output Delay
65
ns
2
t
ELQX
BE
0
, BE
1
to Output in Low Z
0
ns
3
t
EHQZ
BE
0
, BE
1
to Output in High Z
70
ns
3
t
GLQX
OE
to Output in Low Z
0
ns
3
t
GHQZ
OE
to Output in High Z
55
ns
3
t
OH
Output Hold from Address, BE
0
, BE
1
or OE
change, whichever occurs first
0
ns
3
NOTES:
1. See AC Input/Output Reference Waveforms for timing measurements, Figure 4.
2. OE
may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of BE
0
, BE
1
without impact on t
ELQV
.
3. Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F160BHE-TTL90 16M (x8/x16) Flash Memory
LH28F160BJE-BTL90 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器)
LH28F160BJE-TTL70 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器)
LH28F160BJHE-BTL70 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器)
LH28F160BJHE-TTL90 16M-BIT ( 1Mbit x16 / 2Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(16M位( 1M位 x16 / 2M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F0I6SCT-L95 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:
LH28F128BFHT-PBTL75A 功能描述:閃存 128Mb (x16)3V OTP Single Supply RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
LH28F128SPHTD-PTLZ5 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:128M MULTI LEVEL CELL 120NS 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 120NS 56TSOP - Trays
LH28F160BGH-TL 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 M-bit (1 MB x 16) Smart 3 Flash Memories
LH28F160BG-TL 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 M-bit (1 MB x 16) Smart 3 Flash Memories
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*