- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377801 > M12S128168A (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.) 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M12S128168A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | M12S128168A |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
ES MT
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 2.5V
±
0.2V
，
T
A
= 0 to 70
C
M12S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
Nov. 2006
6/44
°
)
Parameter
Value
Unit
Input levels (Vih/Vil)
0.9xV
DDQ
/0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5xV
DDQ
V
Input rise and fall-time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5xV
DDQ
V
Output load condition
See Fig. 2
(Fig. 1) DC Output Load Circuit
(Fig. 2) AC Output Load Circuit
OPERATING AC PARAMETER
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Version
Parameter
Symbol
-10
Unit
Note
Row active to row active delay
t
RRD(min)
20
ns
1
RAS to CAS delay
Row precharge time
t
RCD(min)
30
ns
1
t
RP(min)
30
ns
1
t
RAS(min)
60
ns
1
Row active time
t
RAS(max)
100
us
@ Operating
t
RC(min)
90
ns
1
Row cycle time
@ Auto refresh t
RFC(min)
100
ns
1,5
Last data in to col. address delay
t
CDL(min)
1
t
CK
2
Last data in to row precharge
t
RDL(min)
2
t
CK
2
Last data in to burst stop
t
BDL(min)
1
t
CK
2
Refresh period (4,096 rows)
t
REF(max)
64
ms
6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S128168A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。