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參數(shù)資料
| 型號： | M2S56D30AKT-75 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO64 |
| 封裝： | 0.40 MM PITCH, STSOP-64 |
| 文件頁數(shù)： | 25/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 638K |
| 代理商： | M2S56D30AKT-75 |
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31
DDR SDRAM
E0338M10 (Ver.1.0)
(Previous Rev.1.54E)
Jan. '03 CP(K)
M2S56D20/ 30/ 40ATP
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20/ 30/ 40AKT
BURST INTERRUPTION
[Read Interrupted by Read]
Burst read operation can be interrupted by the new Read command issued to any other bank.
Random column access is allowed. READ to READ interval is 1CLK as the minimum.
Read Interrupted by Read (BL=8, CL=2)
Command
A0-9,11
A10
BA0,1
DQ
Yi
READ READ
READ
Yj
Yk
Yl
00
10
00
01
DQS
Qai0 Qai1 Qaj0 Qaj1 Qaj2 Qaj3 Qak0 Qak1 Qak2 Qak3 Qak4 Qak5 Qal0 Qal1 Qal2 Qal3 Qal4 Qal5 Qal6 Qal7
/CLK
CLK
[Read Interrupted by precharge]
Burst read operation can be interrupted by precharge of the same bank. READ to PRE interval is 1 CLK
minimum. The time between PRE command to output disable is equal to the CAS Latency. As a result,
READ to PRE interval determines valid data length to be outputted. The figure below shows the examples of
BL=8.
Read Interrupted by Precharge (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3
Q0 Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3 Q4 Q5
PRE
READ
PRE
READ PRE
DQS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-6 | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| M30-6000206 | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6000406 | 4 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6001106 | 11 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6011006 | 20 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2S56D30AKT-75A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75AL | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
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