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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2S56D30AKT-75 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO64 |
| 封裝： | 0.40 MM PITCH, STSOP-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 638K |
| 代理商： | M2S56D30AKT-75 |
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33
DDR SDRAM
E0338M10 (Ver.1.0)
(Previous Rev.1.54E)
Jan. '03 CP(K)
M2S56D20/ 30/ 40ATP
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20/ 30/ 40AKT
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval is 1 CLK
minimum. The time between TERM command to output disable is equal to the CAS Latency. As a result, READ
to TERM interval determines valid data length to be outputted. The figure below shows example of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3
Q0 Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3 Q4 Q5
TERM
READ
TERM
READ TERM
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3
Q0 Q1
DQ
Q0 Q1
Q2 Q3 Q4 Q5
TERM
READ
TERM
READ TERM
DQS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-6 | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| M30-6000206 | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6000406 | 4 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6001106 | 11 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M30-6011006 | 20 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2S56D30AKT-75A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75AL | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
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