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參數(shù)資料
| 型號： | M58WR064KU70ZA6U |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 82/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
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DC and AC parameters
M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
Table 22.
DC characteristics - currents
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input leakage current
0V
≤VIN ≤VDDQ
±1
A
ILO
Output leakage current
0V
≤VOUT ≤VDDQ
±1
A
IDD1
Supply current
asynchronous read (f=6 MHz)
E = VIL, G = VIH
10
20
mA
Supply current
synchronous read (f=66 MHz)
4 word
18
20
mA
8 word
20
22
mA
16 word
22
24
mA
Continuous
24
26
mA
IDD2
Supply current
(reset/power-down)
RP = VSS ± 0.2 V
2
10
A
IDD3
Supply current (standby)
E = VDDQ ± 0.2 V,
K = VSS
15
50
A
IDD4
Supply current (automatic
standby)
E = VIL, G = VIH
15
50
A
IDD5
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
Supply current (program)
VPP = VPPH
10
30
mA
VPP = VDD
20
34
mA
Supply current (erase)
VPP = VPPH
10
30
mA
VPP = VDD
20
34
mA
IDD6
2.
VDD dual operation current is the sum of read and program or erase currents.
Supply current
(dual operations)
Program/erase in one
bank, asynchronous read
in another bank
30
54
mA
Program/erase in one
bank, synchronous read
(continuous burst 66 MHz)
in another bank
44
60
mA
IDD7
Supply current program/ erase
suspended (standby)
E = VDDQ ± 0.2 V,
K = VSS
15
50
A
IPP1
VPP supply current (program)
VPP = VPPH
510
mA
VPP = VDD
0.2
5
A
VPP supply current (erase)
VPP = VPPH
510
mA
VPP = VDD
0.2
5
A
IPP2
VPP supply current (read)
VPP = VPPH
100
400
A
VPP ≤VDD
0.2
5
A
IPP3
VPP supply current (standby)
VPP ≤VDD
0.2
5
A
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