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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT18VDDT12872PHIG-265XX |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 816K |
| 代理商： | MT18VDDT12872PHIG-265XX |
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128MB, 256MB, 512MB, 1GB (x72, ECC, PLL)
200-PIN DDR SDRAM SODIMM
09005aef808ffdc7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DD9_18C16_32_64_128X72PHG_E.fm - Rev. E 7/03 EN
14
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Table 11:
DC Electrical Characteristics and Operating Conditions
(MT18VDDT6472PH, MT18VDDT12872PH)
°C TA +70°C; VDD = VDDQ = +2.5V ±0.2V
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Supply Voltage
VDD
2.3
2.7
V
I/O Supply Voltage
VDDQ
2.3
2.7
V
I/O Reference Voltage
VREF
0.49 x
VDDQ
0.51 x VDDQ
I/O Termination Voltage (system)
VTT
VREF - 0.04
VREF + 0.04
V
Input High (Logic 1) Voltage
VIH(DC)VREF + 0.15
VDD + 0.3
V
Input Low (Logic 0) Voltage
VIL(DC)-0.3
VREF - 0.15
V
INPUT LEAKAGE CURRENT
Any input 0V
VIN VDD, VREF pin 0V VIN
1.35V
(All other pins not under test = 0V)
Command/Address,
RAS#, CAS#, WE#,
CKE
II
-36
36
A
S#
II
-18
18
A
CK,CK#
II
-5
5
A
DM
II
-4
4
A
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
(DQ disabled; 0V
VOUT VDDQ)
DQS, DQ
IOZ
-10
10
A
OUTPUT LEVELS:
High Current (VOUT = VDDQ-0.373V, minimum VREF, minimum VTT)
Low Current (VOUT = 0.373V, maximum VREF, maximum VTT)
IOH
-16.8
–
mA
IOL
16.8
–
mA
Table 12:
AC Input Operating Conditions
°C TA +70°C; VDD = VDDQ = +2.5V ±0.2V
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input High (Logic 1) Voltage
VIH(AC)VREF + 0.310
–
V
Input Low (Logic 0) Voltage
VIL(AC)–
VREF - 0.310
V
I/O Reference Voltage
VREF(AC)
0.49 x VDDQ
0.51 x
VDDQ
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