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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 17/64頁 |
| 文件大小： | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
Preliminary
11
NOTES:
1. When writing commands, the upper data bus [DQ
8
–DQ
15
] should be either V
IL
or V
IH
, to minimize current
draw.
2. Following the Read Configuration or Read Query commands, read operations output device configuration or
CFI query information, respectively.
3. Either 40H or 10H command is valid, but the Intel standard is 40H.
4. When unlocking a block, WP# must be held for three clock cycles (1 clock cycle after the second command
bus cycle).
Table 5. Flash Memory Command Definitions
Command
Note
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Operation
Address
Data
Operation
Address
Data
Read Array
1
Write
X
FFH
Read Identifier
1, 2
Write
X
90H
Read
IA
ID
Read Query
1, 2
Write
X
98H
Read
QA
QD
Read Status Register
1
Write
X
70H
Read
X
SRD
Clear Status Register
1
Write
X
50H
Word Program
1, 3
Write
X
40H/10H
Write
PA
PD
Block Erase/Confirm
1
Write
X
Write
BA
D0H
Program/Erase Suspend
1
Write
X
B0H
Program/Erase Resume
1
Write
X
D0H
Lock Block
1
Write
X
60H
Write
BA
01H
Unlock Block
1, 4
Write
X
60H
Write
BA
D0H
Lock-Down Block
1
Write
X
60H
Write
BA
2FH
Protection Register Program
1
Write
X
C0H
Write
PA
PD
Lock Protection Register
1
Write
X
C0H
Write
PA
FFFD
X = Don’t Care
PA = Program Address
BA = Block Address
IA
=
Identifier Address
QA = Query Address
SRD = Status Register Data
PD = Program Data
ID = Identifier Data
QD = Query Data
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參數(shù)描述 |
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