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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 34/64頁 |
| 文件大小： | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
28
Preliminary
4.9
SRAM AC Characteristics—Read Operations
(1,4)
NOTE:
1. See
Figure 9, “AC Waveform: SRAM Read Operations” on page 29
.
2. Timings of t
HZ
and t
OHZ
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and
are not referenced to output voltage levels.
3. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max) is less than and t
LZ
(Max) both for a given device
and from device to device interconnection.
4. Sampled, but not 100% tested.
#
Sym
Parameter
Density
2/4 Mbit
Unit
Voltage Range
2.7 V– 3.3 V
Note
Min
Max
R1
t
RC
Read Cycle Time
70
–
ns
R2
t
AA
Address to Output Delay
–
70
ns
R3
t
CO1,
t
CO2
S-CS1#, S-CS2 to Output Delay
–
70
ns
R4
t
OE
S-OE# to Output Delay
–
35
ns
R5
t
BA
S-UB#, LB# to Output Delay
–
70
ns
R6
t
LZ1
, t
LZ2
S-CS1#, S-CS2 to Output in Low Z
3
5
–
ns
R7
t
OLZ
S-OE# to Output in Low Z
0
–
ns
R8
t
HZ1
, t
HZ2
S-CS1#, S-CS2 to Output in High Z
2, 3
0
25
ns
R9
t
OHZ
S-OE# to Output in High Z
2
0
25
ns
R10
t
OH
Output Hold from Address, S-CS1#,
S-CS2, or S-OE# Change, Whichever Occurs
First
0
–
ns
R11
t
BLZ
S-UB#, S-LB# to Output in Low Z
0
–
ns
R12
t
BHZ
S-UB#, S-LB# to Output in High Z
0
25
ns
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