- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F1604C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F1604C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 31/64頁 |
| 文件大小： | 927K |
| 代理商： | 28F1604C3 |
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28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3
Preliminary
25
4.7
Flash Erase and Program Timings
(1)
NOTES:
1. Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, but not 100% tested.
Symbol
Parameter
F-V
PP
1.65 V– 3.3 V
11.4 V– 12.6 V
Unit
Note
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
t
BWPB
4-KW Parameter Block Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
32-KW Main Block Program Time (Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Word Program Time
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
4-KW Parameter Block Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
32-KW Main Block Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
5
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C18 | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導塊閃速存儲器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲器) |
| 28F320S3 | 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160BJHE-BTLTH | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 28F160C3BA90 | 制造商: 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3TD70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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