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參數(shù)資料
| 型號： | 29F4000 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 710K |
| 代理商： | 29F4000 |
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17
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
CAPACITANCE TA = 25
o
C, f = 1.0 MHz
SYMBOL
CIN1
CIN2
COUT
PARAMETER
Input Capacitance
Control Pin Capacitance
Output Capacitance
MIN.
TYP
MAX.
8
12
12
UNIT
pF
pF
pF
CONDITIONS
VIN = 0V
VIN = 0V
VOUT = 0V
DC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%
SYMBOL PARAMETER
ILI
Input Leakage Current
ILO
Output Leakage Current
ISB1
Standby VCC current
ISB2
ICC1
Operating VCC current
ICC2
VIL
Input Low Voltage
VIH
Input High Voltage(NOTE 2)
VOL
Output Low Voltage
VOH1
Output High Voltage(TTL)
VOH2
Output High Voltage(CMOS) VCC-0.4
MIN.
TYP
MAX.
1
10
1
UNIT
uA
uA
mA
uA
mA
mA
V
V
V
V
V
CONDITIONS
VIN = GND to VCC
VOUT = GND to VCC
CE = VIH
CE = VCC
±
0.3V
IOUT = 0mA, f=5MHz
IOUT= 0mA, f=10MHz
1(Note3) 5(Note3)
40
50
0.8
VCC + 0.3
0.45
-0.3(NOTE 1)
2.0
IOL = 2.1mA
IOH = -2mA
IOH = -100uA,VCC=VCC MIN
2.4
NOTES:
1.VIL min. = -1.0V for pulse width is equal to or less than 50 ns.
VIL min. = -2.0V for pulse width is equal to or less than 20 ns.
2.VIH max. = VCC + 1.5V for pulse width is equal to or less than 20 ns
If VIH is over the specified maximum value, read operation cannot be guaranteed.
3.ISB2 20uA max. for Automotive grade.
READ OPERATION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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