參數(shù)資料
型號(hào)： 29F4000
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 4/44頁(yè)
文件大小： 710K
代理商： 29F4000
4
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
BLOCK DIAGRAM
CONTROL
INPUT
LOGIC
PROGRAM/ERASE
HIGH VOLTAGE
WRITE
STATE
MACHINE
(WSM)
STATE
REGISTER
MX29F400T/B
FLASH
ARRAY
X
ADDRESS
LATCH
AND
BUFFER
Y-PASS GATE
Y
ARRAY
SOURCE
HV
COMMAND
DATA
DECODER
COMMAND
DATA LATCH
I/O BUFFER
PGM
DATA
HV
PROGRAM
DATA LATCH
SENSE
AMPLIFIER
Q0-Q15/A-1
A0-A17
CE
OE
WE
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PDF描述
29F400B-12PI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12TC 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12TI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-90PC 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-90PI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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