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參數(shù)資料
| 型號： | 29F4000 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 710K |
| 代理商： | 29F4000 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當(dāng)前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
27
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM (WORD MODE)
Sector data indicated by A12 to A17 are erased. Exter-
nal erase verify is not required because data are erased
automatically by internal control circuit. Erasure comple-
tion can be verified by DATA polling and toggle bit check-
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
ing after automatic erase starts. Device outputs 0 dur-
ing erasure and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle
bit; see toggle bit, DATA polling, timing waveform)
tAH
Sector
Address0
555H
2AAH
2AAH
555H
555H
Sector
Address1
Sector
Addressn
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,
Q4(Note 1)
WE
A12~A17
Q7
A0~A10
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command #30H
Command #30H
Command #30H
Command #55H
Command #AAH
Command #80H
Command #55H
Command #AAH
(Q0~Q7)
Command
In
Command
In
tDH
tDS
tCEP
tCWC
tAETB
tBAL
DATA polling
tCEPH1
tAS
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit, Q2: Toggle bit
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