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參數(shù)資料
| 型號： | 29F4000 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/44頁 |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | 29F4000 |
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22
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS
COMMAND WRITE TIMING WAVEFORM
Addresses
CE
OE
WE
DIN
tDS
tAH
Data
tDH
tCS
tCH
tCWC
tCEPH1
tCEP
tOES
tAS
VCC
5V
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
ADD Valid
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
1.2K ohm
1.6K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance,
CL=50pF for MX29F400T/B-55
2.0V
2.0V
0.8V
0.8V
TEST POINTS
2.4V
0.45V
AC TESTING: Inputs are driven at 2.4V for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall time are < 20ns.(5ns for MX29F400T/B-55)
Note:VIH/VIL=3.0V/0V, VOH/VOL=1.5V/1.5V, for MX29F400T/B-55.
OUTPUT
INPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
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