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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F4000 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 710K |
| 代理商： | 29F4000 |
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20
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
AC CHARACTERISTICS TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%
29F400T/B-55(Note2)
MIN.
50
70
45
20
20
0
45
30
0
29F400T/B-70
MIN.
50
70
45
20
20
0
45
30
0
0
Symbol
tOES
tCWC
tCEP
tCEPH1
tCEPH2
tAS
tAH
tDS
tDH
tCESC
tDF
tAETC
tAETB
tAVT
PARAMETER
OE setup time
Command programming cycle
WE programming pulse width
WE programming pluse width High
WE programming pluse width High
Address setup time
Address hold time
Data setup time
Data hold time
CE setup time before command write 0
Output disable time (Note 1)
Total erase time in auto chip erase
Total erase time in auto sector erase
Total programming time in auto verify 7/12(TYP.)
(byte/ word program time)
Sector address load time
CE Hold Time
CE setup to WE going low
Voltge Transition Time
OE Setup Time to WE Active
Write pulse width for sector protect
Write pulse width for sector unprotect 12
MAX.
MAX.
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
us
20
32
10.4
210/360
30
32
10.4
210/360
4(TYP.)
1.3(TYP.)
4(TYP.)
1.3(TYP.)
7/12(TYP.)
tBAL
tCH
tCS
tVLHT
tOESP
tWPP1
tWPP2
100
0
0
4
4
10
100
0
0
4
4
10
12
us
ns
ns
us
us
us
ms
NOTES:
1. tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
2. Under condition of VCC=5V
±
10%, CL=50pF,VIH/VIL=3.0V/0V,VOH/VOL=1.5V/1.5V,IOL=2mA,IOH=-2mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
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