參數(shù)資料
型號(hào)： 29F4000
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 23/44頁(yè)
文件大?。?/td> 710K
代理商： 29F4000
23
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
AUTOMATIC PROGRAMMING TIMING
WAVEFORM
AUTOMATIC PROGRAMMING TIMING WAVEFORM (WORD MODE)
One byte data is programmed. Verify in fast algorithm
and additional programming by external control are not
required because these operations are executed auto-
matically by internal control circuit. Programming
completion can be verified by DATA polling and toggle
bit checking after automatic verification starts. Device
outputs DATA during programming and DATA after pro-
gramming on Q7.(Q6 is for toggle bit; see toggle bit,
DATA polling, timing waveform)
tCWC
tAS
tCEP
tDS
tDH
tDF
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,Q2
Q4(Note 1)
WE
A11~A17
tCEPH1
tAH
ADD Valid
tCESC
Q7
Command In
ADD Valid
A0~A10
Command In
Command In
Data In
DATA
Command In
Command In
Command In
Data In
DATA
DATA
tAVT
tOE
DATA polling
2AAH
555H
555H
(Q0~Q7)
Command #55H
Command #A0H
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit
Command #AAH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F400B-12PI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12TC 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12TI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-90PC 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-90PI 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F400B-12PC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12PI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
29F400B-12TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY
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