- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371439 > 29F4000 (Macronix International Co., Ltd.) 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F4000 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/44頁 |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | 29F4000 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁
19
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
READ TIMING WAVEFORMS
Addresses
CE
OE
tACC
WE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
HIGH Z
HIGH Z
DATA Valid
tOE
tDF
tCE
Outputs
tOH
ADD Valid
COMMAND PROGRAMMING/DATA PROGRAMMING/ERASE OPERATION
NOTES:
1. VIL min. = -0.6V for pulse width is equal to or less
than 20ns.
2. If VIH is over the specified maximum value, program-
ming operation cannot be guranteed.
3. ICCES is specified with the device de-selected. If
the device is read during erase suspend mode, cur-
rent draw is the sum of ICCES and ICC1 or ICC2.
4. All current are in RMS unless otherwise noted.
DC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%
SYMBOL
ICC1 (Read)
ICC2
ICC3 (Program)
ICC4 (Erase)
ICCES
PARAMETER
Operating VCC Current
MIN.
TYP
MAX.
40
50
50
50
UNIT
mA
mA
mA
mA
mA
CONDITIONS
IOUT=0mA, f=5MHz
IOUT=0mA, F=10MHz
In Programming
In Erase
CE=VIH, Erase Suspended
VCC Erase Suspend Current
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F400B-12PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12PI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-12TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。