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參數(shù)資料
| 型號： | BLF872 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-800-1, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/16頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | BLF872 |
BLF872_1
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 20 February 2006
4 of 16
Philips Semiconductors
BLF872
UHF power LDMOS transistor
7.
Application information
[1]
Sync. compression: input sync.
≥ 33 %, output sync. 27 %.
VGS = 0 V; f = 1 MHz.
Fig 1.
Output capacitance Coss as a function of drain-source voltage VDS; typical values
per section; capacitance value without internal matching
VDS (V)
050
40
20
30
10
001aad743
100
50
150
200
Coss
(pF)
0
Table 7:
RF performance in a common-source 860 MHz narrowband test circuit
Mode of operation
f
VDS
IDq
PL(PEP)
PL(AV)
Gp
ηD
IMD3
Gp
(MHz)
(V)
(A)
(W)
(dB)
(%)
(dBc)
(dB)
2-tone, class AB
f1 = 860;
f2 = 860.1
32
2
× 0.9
300
-
> 14
> 40
≤25
≤ 1
DVB-T (8K OFDM)
858
32
2
× 0.9
-
70
> 14
> 26
≤25
-
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