- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄295146 > BLF872 (NXP SEMICONDUCTORS) UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BLF872 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-800-1, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | BLF872 |
Philips Semiconductors
BLF872
UHF power LDMOS transistor
BLF872_1
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 20 February 2006
13 of 16
9.
Package outline
Fig 13. Package outline SOT800-1
SOT800-1
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT800-1
05-06-02
05-06-07
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads
0
5
10 mm
scale
mm
0.05
0.25
38.5
12.7
10.55
10.45
0.15
0.10
30.5
29.9
15.3
15.1
22.8
21.8
15.4
15.0
6.6
6.2
2.26
2.00
44.5
44.2
3.56
3.49
3.4
3.1
14.6
14.4
31.1
30.9
3.7
3.3
inches
0.002
0.01
1.516
UNIT
A
D
bc
e
U2
y
q
w2
w1
F
U1
pQ
E
E1
D1
HL
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
0.5
0.415
0.411
0.006
0.004
1.201
1.177
1.224
1.216
0.602
0.594
0.898
0.858
0.606
0.591
0.260
0.244
0.089
0.079
1.752
1.740
0.140
0.137
0.134
0.122
0.575
0.567
0.146
0.130
y
D
F
A
D1
Q
c
E
E1
B
b
q
e
H
L
U2
P
w1
A
M
B M
w2
C
M
U1
12
5
34
C
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLH2-21-35PC-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-21-39PN-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-23-21PK-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-23-97PA-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
| BLH2-25-11PK-1 | MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLF872,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS 300W UHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF878 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF878,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLF878_09 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power LDMOS transistor |
| BLF878112 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH UHF BROADCAST POWER LDMOS 40V 470 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。